文件名称:
高应变InxGa1-xAs薄膜的结晶质量及光学特性
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文件大小: 3mb
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上传时间: 2021-01-26
详细说明：通过分子束外延(MBE)生长技术，在GaAs(100)基片上生长出单晶InxGa1-xAs薄膜，利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实时监控薄膜生长情况。对InxGa1-xAs薄膜进行了X射线衍射(XRD)测试，结果显示该薄膜为高质量薄膜，且In组分(原子数分数)为0.51。光致发光(PL)光谱测试结果表明，室温下发光峰位约为1.55 μm；由于InxGa1-xAs薄膜中存在压应变，光谱峰位出现蓝移。Raman光谱显示GaAs-like横向光学声子(TO)模式的峰出现了明显展宽，验证了InxGa1-xAs薄膜中存在应变。
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