文件名称:
8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理
开发工具:
文件大小: 12mb
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上传时间: 2021-01-26
详细说明：针对卫星轨道上空间辐射环境引起的光学相机性能退化问题, 采用8晶体管(8T)-全局曝光互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器进行重离子辐照实验。实验结果显示, 不同功能模块寄存器发生单粒子翻转, 导致输出图像出现不同的异常模式, 主要表现为输出图像“卡零”、若干相邻列输出异常、整幅图像“花屏”等。结合器件的不同子电路功能、工艺结构和工作原理, 分析重离子入射器件微观作用过程对宏观图像异常模式的影响, 深入探讨器件不同功能模块单粒子翻转的敏感性和损伤机理。研究结果可为CMOS图像传感器加固设计、单粒子地面模拟实验方法及标准和评估技术的建立提供重要参考。
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