开发工具:
文件大小: 1mb
下载次数: 0
上传时间: 2021-01-26
详细说明：在碳化硅MOSFET大范围应用下，其开关瞬态过程愈发引人关注。由于碳化硅比起硅器件有更高的开关频率，因此其开关特性受到结电容和杂散电感的影响。对碳化硅MOSFET开关过程进行瞬态分析，推导了它的开关模型。通过开关模型提取出其电压变化率和电流变化率，在考虑杂散参数的基础之上寻找其与电压及电流变化率之间的联系。仿真及实验通过搭建buck电路平台，测试其开通和关断波形，提取出开关过程各阶段电压电流的变化率，进一步验证理论分析过程和模型建立的准确性。
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
