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上传时间: 2021-01-26
详细说明：自1962年第一只半导体激光器成功问世以来，这种尺寸仅为毫米量级的芯片已经广泛应用于光纤通信、激光存储、激光制造、激光成像、激光打印、激光武器等现代科学技术的各个方向，成为现代工业的变革性力量，是各国高科技领域竞争的制高点，是“新型基础设施建设”中的核心。在国家多个科技计划支持下，我国科研人员先后实现了波长覆盖600~1550 nm的GaAs和InP半导体激光器产业化，且随着宽禁带GaN材料外延技术的不断进步，又先后实现了蓝光和绿光波段激光器的室温激射，并正向紫外方向拓展。在长波方向，基于能带剪裁的量子级联激光器已经覆盖了3~25 μm和太赫兹波段，锑化物激光器在2~4 μm波段实现商用。Si基或Si上半导体激光器则有望成为高速低功耗片上光互连的光源。近年来，垂直腔面发射激光器在数据中心、人脸识别等新兴方向的广泛应用，带动了国内半导体光电器件的新一轮研发和产业发展热潮。相信在科技和产业的相互推动下，半导体激光器的性能还将不断提高，并在5G、人工智能等新兴高科技领域中发挥更加重要的作用。
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