文件名称:
AlGaN基深紫外发光二极管空穴注入效率的提高途径
开发工具:
文件大小: 12mb
下载次数: 0
上传时间: 2021-01-25
详细说明：目前，发光波长短于360 nm的深紫外发光二极管 (DUV LEDs) 的外量子效率 (EQE) 普遍低于10%。一方面，基于高AlN组分AlGaN材料量子阱的出光中存在大量的横磁 (TM) 模式的偏振光，这极大程度上降低了DUV LEDs器件的光提取效率 (LEE)；另一方面，受限于现阶段AlGaN材料的外延生长水平，DUV LEDs器件的晶体质量普遍比较差，增加了有源区内非辐射复合率，造成DUV LEDs器件内量子效率 (IQE) 的衰减。除此之外，载流子注入效率也严重影响着DUV LEDs器件的IQE，尤其是空穴注入效率。为此，研究人员开展了大量的研究来提高空穴注入效率，从而改善DUV
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
