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CISSOID - SiC助力功率半导体器件的应用结温升高，将大大改变电力系统的设计格局
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上传时间: 2021-01-21
详细说明：Yole Development 的市场调查 表明，自硅功率半导体器件诞生以来，应用的需求一直推动着结温升高，目前已达到150℃。随着第三代宽禁带半导体器件（如SiC）出现以及日趋成熟和全面商业化普及，其独特的耐高温性能正在加速推动结温从目前的150℃迈向175℃，未来将进军200℃。借助于SiC的独特高温特性和低开关损耗优势，这一结温不断提升的趋势将大大改变电力系统的设计格局。这些典型的、面向未来的高温、高功率密度应用，包括深度整合的电动汽车动力总成、多电和全电飞机乃至电动飞机、移动储能充电站和充电宝，以及各种液体冷却受到严重限制的电力应用。 图1：功率器件的应用结温在不断升高（来源于Y
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