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IR发布全新第八代1200V IGBT平台
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上传时间: 2021-01-20
详细说明：功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司（International Rectifier,简称IR） 推出新一代绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 技术平台。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装，并采用IR新一代沟道栅极场截止技术，为工业及节能应用提供卓越性能。
全新的Gen8组件提供从8A到高达60A的电流额定值，加上1.7V典型VCE（ON） 和10μs短路额定值，能够减少功耗，有效增加功率密度并带来卓越的耐用性。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR通过开发全新基准技术及的IGBT硅平台，彰显其数十年来致力提升功率电子技术的
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