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文件名称: LED外延芯片工艺流程及晶片分类
  所属分类: 其它
  开发工具:
  文件大小: 90kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2021-01-20
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:近十几年来,为了开发蓝色高亮度发光二极管,世界各地相关研究的人员无不全力投入。而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管LED 及激光二级管LD 的应用无不说明了III-V 族元素所蕴藏的潜能。     在目前商品化LED 之材料及其外延技术中,红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主,而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延成长法成长磷砷化镓GaAsP 材料为主。     一般来说,GaN 的成长须要很高的温度来打断NH3 之N-H 的键解,另外一方面由动力学仿真也得知NH3 和MO Gas 会进行反应产生没有挥发性的副产物。     LED 外延片工艺流程如下:     衬底
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