文件名称:
ST - 碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发
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文件大小: 246kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-01-20
详细说明：就目前而言，碳化硅(SiC)材料具有的的电学和热学性质，使得碳化硅功率器件在性能方面已经超越硅产品。在需要高开关频率和低电能损耗的应用中，碳化硅MOSFET正在取代标准硅器件。半导体技术要想发展必须解决可靠性问题，因为有些应用领域对可靠性要求十分严格，例如：汽车、飞机、制造业和再生能源。典型的功率转换器及相关功率电子元件必须严格遵守电气安全规则，要能在恶劣条件下保持正常工作，其鲁棒性能够耐受短路这种危险的临界事件的冲击
没有设备能够监测微秒级功率脉冲引起的器件内部温度升高，当脉冲非常短时，只能用模拟方法估算晶体管结构内部和相邻层的温度上升。此外，温度估算及其与已
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