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影响CMOS单电源放大器的THD+N性能的因素
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文件大小: 130kb
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上传时间: 2021-01-20
详细说明：自上市以来，CMOS单电源放大器就让的单电源系统设计人员受益非浅。影响双电源放大器总谐波失真加噪声(THD+N)特性的主要因素是输入噪声和输出级交叉失真。单电源放大器的THD+N性能源于放大器的输入和输出级。然而，输入级对THD+N的影响又让单电源放大器的这种规范本身复杂化。
有两种单电源放大器拓扑可以接受电源之间的输入信号。图1a所示拓扑具有一个互补差动输入级。在该拓扑中，放大器的输入位于负轨附近时，PMOS晶体管为“开”，而NMOS晶体管为“关”。当放大器的输入更接近于正电压轨时，NMOS晶体管为“开”，而PMOS晶体管为“关”。
图1： 互补输入级、单电源放大器：a)；带一个
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