文件名称:
低导通电阻MOSFET提升数据中心效率
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上传时间: 2021-01-20
详细说明：飞兆半导体推出的导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道器件，它是业界采用5×6mm POWER56封装且RDS(ON)的MOSFET器件，而采用5×6mm封装的同类30V MOSFET器件的RDS(ON)则为1.4至1.6mΩ。
通过*测，MOSFET器件的总体漏源导通电阻RDS(ON)是由芯片电阻和封装电阻构成的。这项参数非常重要的原因主要有两个：首先，因为它与功耗直接相关，其次，它决定了针对特定应用的硅器件的电流承载能力。在这种情况下，飞兆半导
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