文件名称:
SiGe HBT 低噪声放大器的设计与制造
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上传时间: 2021-01-20
详细说明：摘 要：该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构，所以可灵活调整不同反馈电阻，同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。
基于0.35 μm Si CMOS 平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数，在制作放大器中SiGe 器件时，采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻。由于没有使用占片面积大的螺旋电感，终研制出的SiGe HBT LNA 芯片面积仅为0.282 mm2。测试结果表明，在工作频带0.2-1.2 GHz 内，LNA 噪声系数低至2.5 dB，
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