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一种SRAM误操作进行观测并模拟的方法
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文件大小: 289kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-01-20
详细说明：瑞萨电子开发出了对起因于随机电报噪声（RTN:Random Telegraph Noise）的SRAM误操作进行观测并实施模拟的方法。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段时间，要刷新充电，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
RTN是一种因晶体管载流子被栅极绝缘膜等中的陷阱捕获或释放，而使晶体管阈值电压随时间随机变
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