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上传时间: 2021-01-20
详细说明：工程师们一般都把RF低噪声放大器设计视为畏途。要在稳定高增益情况下获得低噪声系数可能极具挑战性，甚至使人畏惧。不过，采用的GaAs(砷化镓)异质结FET，可以设计出有高稳定增益和低于1dB噪声系数的放大器(参考文献1)。本设计就讲述了一个有0.77dB噪声系数的低噪声放大器。
制造商们一般会给出低噪声放大器的输入/输出匹配、噪声系数、增益、稳定性、1dB压缩点、二阶和三阶互调分量、带外抑制，以及反向隔离等指标。这些参数中，很多是互相依赖的，因此在有限的时间内要满足所有这些设计标准，工作会很复杂(参考文献2和3)。图1给出了一种灵活的放大器结构，它能满足所有这些设计标准。
图1，
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