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基于CMOS LNAs器件实现低噪声放大器电路的设计
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文件大小: 110kb
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上传时间: 2021-01-20
详细说明:1 引 言 目前,在高达数GHz的RF频段范围内,广泛使用的是GaAs MESFET LNAs,其优点是能够在功率增益高达20 dB的同时,使噪声系数低至大约1 dB。但随着CMOS电路技术的成熟,近来对RF CMOS电路元件的研究成果越来越多,在无线通信系统上也已经实现了SoC化。如果CMOS制造技术能克服噪声大,功率损耗大等缺点,凭借其低廉的价格,CMOS LNAs将有可能在数GHz的RF频段范围内,逐渐取代GaAs MESFET LNAs。 由于LNAs通常位于整个接收电路的 级,由式(1)可以看出, 级的LNAs对于接收电路有很大的影响。所有在设计LNA电路时,应考虑降低噪
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