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详解半导体分立器件脉冲测试的必要性及相关要求
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上传时间: 2021-01-20
详细说明：本文主要讨论了半导体分立器件参数的脉冲测试技术，在这里我们能了解 脉冲测试的必要性是什么，它的相关标准又是什么，实现脉冲测试的方法又是什么。 一、脉冲测试的必要性 半导体分立器件通常包括二极管、三极管、MOS 埸效应管、结型埸效应管、可控硅、光电耦合器等各种器件。在对这些器件进行参数测试时，需要首先使被测试器件满足参数测试规定的测试条件（即进入规定的工作点），同时也要满足规定的测试环境温度，这样所测的数据才有实际的意义。因为所测试的参数既是测试条件的函数，同时也是环境温度的函数。例如三极管的放大倍数 HFE 既是测试条件 IC 和 VCE 的函数，同时也对环境温度非常敏感。典型 HFE-I
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