文件名称:
SiC MOSFET的快速短路检测与保护
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上传时间: 2021-01-20
详细说明：功率器件有多种不同的短路模式，其中严重的一种是桥臂短路，在这种短路模式下，电流迅速上升，同时器件承受母线电压。我们需要首先对这种短路模式下的MOSFET的行为进行研究。
短路测试平台如图1所示。测试驱动板由英飞凌专为单管SiC MOSFET研发。待测器件为TO-247 4pin封装的IMZ120R045M1。测试在室温下进行。
图1 SiC功率MOSFET短路特性测试平台及测试线路
图2 为400V和800V两种母线电压下，且门极电压在12V,15V,18V情况下的短路电流波形。短路起始阶段，漏极电流快速上升并且到达值，在门极电压分别
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