文件名称:
村田推出可薄至100μm的引线键合/嵌入用硅电容器
开发工具:
文件大小: 48kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-01-20
详细说明：依靠村田应用半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。支持引线键合和嵌入的薄型硅电容器，厚度仅为100μm（也能根据要求薄至80μm），对于需要去耦特性的设计人员而言，这是适合嵌入用途的解决方案。
依靠村田应用半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。支持引线键合和嵌入的薄型硅电容器，厚度仅为100μm（也能根据要求薄至80μm），对于需要去耦特性的设计
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