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上传时间: 2021-01-20
详细说明：闩锁效应 (Latch Up) 是在器件的电源引脚和地之间产生低阻抗路径的条件。这种情况将由触发事件（电流注入或过电压）引起，但一旦触发，即使触发条件不再存在，低阻抗路径仍然存在。这种低阻抗路径可能会由于过大的电流水平而导致系统紊流或灾难性损坏。在设计电路应用时，请确保应用于器件的电压和电流水平符合额定值要求。
在电路设计时, 可以考虑以下建议来防止闩锁问题。
1. 如果由于上电排序而发生闩锁，可以利用二极管与VDD串联如果任何时候器件的数字输入或输出都超过VDD，可以在VDD串联二极管（如下图使用1N914）来阻止SCR触发和随后的闩锁产生。这是因为二极管能够防止寄生横向PNP晶
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