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Transphorm发布第二款900V GaN FET
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文件大小: 57kb
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上传时间: 2021-01-20
详细说明：日前，设计和制造高压GaN FET供应商Transphorm公司，宣布推出其第二款900V FET，Gen III TP90H050WS（现已开始提供样品），增强了业界的900V GaN产品线。这些器件现在可以使三相工业系统和高压汽车电子产品充分利用GaN的速度，效率和功率密度。此外，新的FET平台基于Transphorm的650V前身，符合JEDEC和AEC-Q101标准的HV GaN技术。
TP90H050WS的典型导通电阻为50mΩ，瞬态额定值为1000V，采用标准TO-247封装。它可以在典型的半桥中达到8kW的功率水平，同时保持超过99％的效率。其Ron * Qoss（谐振开关
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