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上传时间: 2021-01-20
详细说明：元器件内芯片的堆叠大部分是采用金线键合的方式（Wire Bonding），堆叠层数可以从2～8层）。 STMICRO声称，诲今厚度到40μm的芯片可以从2个堆叠到8个（SRAM，Hash和DRAM），40μm的芯片堆叠8个总 厚度为1.6 mm，堆叠两个厚度为0.8 mm。如图1所示。
图1 元器件内芯片的堆叠
堆叠元器件（Amkor PoP）典型结构如图2所示：
·底部PSvfBGA（Package Stackable very thin fine pitch BGA）；
·顶部Stacked CSP（FBGA， Fine pitch BGA）。
图2 堆叠元器件实行结
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