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基于Tsmc0.18μmCMOS工艺的全差分的共源共栅低噪声放大器设计
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文件大小: 207kb
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上传时间: 2021-01-19
详细说明：随着半导体技术和无线通讯技术的发展，无线移动产品已得到广泛使用。作为无线信息接收的前端部件，低噪声放大器具有其特殊的地位和作用，其性能尤其是噪声系数几乎决定了整个接收链路的噪声性能。本文着重从稳定性、噪声源、线性度、匹配网路关键点进行分析，并针对WCDMA接收机系统应用，设计了低噪声放大器，电路采用TSMC90nmCMOS工艺。芯片测试结果表明，该低噪声放大器，电压增益达到20 dB、噪声系数NF为1.4 dB、IIP3为-3.43 dBm。
1 低噪声放大器工作原理
低噪声放大器设计难点主要在于高增益、低噪声系数、高稳定性、低功耗以及良好输入输出匹配网路等关键指标上的平衡。下面着
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