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上传时间: 2021-01-19
详细说明：在燃烧监视等工业应用场合，需要某一个特定的对光谱特别敏感的光电探测器，在此光谱范围内，火焰发射的光比2 000 K温度下的背景辐射（例如黑体辐射）要强得多。通常在波长肛250～400 nm的紫外光谱范围内，火焰的光发射要远远大于来自背景的热辐射。
硅基光电二极管在紫外光谱范围内一般来说量子效率偏低，然而，从成本、速度及信噪比等角度考虑，迫切需要将探测器和电子电路在硅基工艺下单片集成。目前已采用双极工艺实现了如图1所示结构的集成UV传感器［41］。浅P卜和N＋注入区形成的耗尽区非常接近芯片表面，注入光子在这个区域里被吸收并产生光生载流子。注入N＋和P＋区域的深度并不是标准的，为了在同一晶圆
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