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上传时间: 2021-01-19
详细说明：将SIMOX和BESOI的步骤结合起来就形成了智能切割。将注入剂量为1017/CM2的氢离子注入到热氧化的基片中，形成高斯分布的轮廓。基片表面到氢离子峰值浓度的距离取决于注入能量，通常在几百纳米到几微米之间；而在氢离子浓度的地方，晶格损伤也严重，价键也弱。
离子注入之后，将两个同样的基片（其中一片可以没有热氧化层）接触并在室温下键合。然后在600℃和1100 ℃下退火，基片就会在氢离子浓度处裂开。然后通过CMP减小表面的粗糙度。
由于氢的质量较小，所以离子注入并不会对晶格造成很大的损伤，线位错的密度一般小于102/cm-2，掩埋氧化层即热氧化层，厚度为几百纳米到几微米不等。
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