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TSMC推出高整合度LED驱动集成电路工艺
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文件大小: 54kb
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上传时间: 2021-01-19
详细说明：TSMC推出模组化 BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工艺，将可为客户生产高电压之整合LED驱动集成电路产品。
此一新的BCD工艺特色在于提供12伏特至60伏特的工作电压范围，可支持多种LED的应用，包括： LCD平面显示器的背光源、LED显示器、一般照明与车用照明等，且工艺横跨0.6微米至0.18微米等多个世代，并有数个数字模组可供选择，适合不同的数字控制电路闸密度。此外，也提供CyberShuttleTM共乘试制服务，支援0.25微米与0.18微米工艺的初步功能验证。
借着新工艺所提供的多项整合特色，可减少系统产品的物料清单。不只强固的高电压DMOS提供MOSFET
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