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概述LED芯片生产过程与MOCVD知识
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上传时间: 2021-01-19
详细说明：LED外延片（外延片）
LED芯片产生前的LED外延片生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积（MOCVD）方法。
MOCVD
金属有机物化学气相淀（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称 MOCVD）， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、电脑多学科为一体，是一种自动化程
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