文件名称:
浅析两种可提高LED光效的芯片发光层结构设计
开发工具:
文件大小: 122kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-01-19
详细说明：LDE的芯片结构设计是一项非常复杂的系统工程，其内容涉及以提高注入效率和光效为目的电致发光结构设计、以提高学出光效率为目的的光引出结构设计和与光效密相关的电极设计等。
随着MOCVD外延生长技术和多量子阱结构的发展，人们在控制外延、掺杂浓度和减少位错等方面都取得了突破，处延片的内量子效率已有很大提高。像波长为625nm的A1InGap基LED，内量子效率已接近极限，可达100%.A1InGap基LED的内量子效率虽远比A1InGap基LED的低，但也达40%～50%。
大家知道，LED的外量子效率取决于外延材料的内量子效率和芯片的出光效率，提高LED发光效率的关健是提高芯片的外量子
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
相关搜索:
