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上传时间: 2021-01-19
详细说明：总结 一种新型自旋转移转矩磁阻存储器(STT-MRAM) IP为高性能嵌入式应用提供了一个有吸引力的选择。 介绍 如今，社会上广泛的应用程序都迫切需要嵌入式非易失性内存IP。 embedded memory requirements 然而，嵌入式非易失性闪存IP的未来扩展在更的节点上是无效的。一些替代的存储器技术已经被作为“闪存的替代品”来追求，例如相变存储器(PCM)材料，电阻变化存储器(RRAM)，自旋转移转矩磁阻存储器(STT-MRAM)。这些技术提供了密集的位单元(“1T1R”)，并通过改变单元的静态电阻来操作，这种电阻是通过材料的“Write1”和“Write0”脉冲电流和
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