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同类的超级结MOSFET和 具成本优势的IGBT用于电动汽车充电桩
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文件大小: 550kb
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上传时间: 2021-01-19
详细说明：插电式混合动力/电动汽车(xEV)包含一个高压电池子系统，可采用内置的车载充电器(OBC)或外部的充电桩进行充电。充电(应用)要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能，开发高能效、高性能、具丰富保护功能的充电桩对于实现以尽可能短的充电时间续航更远的里程至关重要。常用的半导体器件有IGBT、超结MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半导体为电动汽车OBC和直流充电桩提供完整的系统方案，包括通过AEC车规的超级结MOSFET、IGBT、门极驱动器、碳化硅(SiC)器件、电压检测、控制产品乃至电源模块等，支持设计人员优化性能，加快开发周期。本文将主要介绍用于电动汽车直流充电桩的超级结MOSFET和
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