文件名称:
不同封装形式压接型IGBT器件的电-热应力研究
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上传时间: 2021-01-14
详细说明：基于多物理场建模对比分析全压接和银烧结封装压接型IGBT器件的电-热应力。首先根据全压接和银烧结封装压接型IGBT的实际结构和材料属性，建立3.3 kV/50 A压接型IGBT器件的电-热-力多耦合场有限元模型；其次仿真分析额定工况下2种封装IGBT器件的电-热性能，并通过实验平台验证所建模型的合理性；然后研究了3.3 kV/1 500 A多芯片压接型IGBT模块的电-热应力，并探究了不同封装压接型IGBT器件电-热应力存在差异的原因；最后比较了2种封装压接型IGBT器件内部的电-热应力随夹具压力和导通电流变化的规律。结果表明银烧结封装降低了压接型IGBT器件的导通压降和结温，提升了器件散热能力；但银烧结封装也增大了IGBT芯片表面的机械应力，应力增大对IGBT器件疲劳失效的影响亟需实验验证。
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