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文件名称: 高电源抑制的带隙基准源设计方案
  所属分类: 其它
  开发工具:
  文件大小: 285kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2021-01-13
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:本文通过结合LDO与Brokaw基准,设计出了高PSR的带隙基准,此带隙基准输出的1.186 V电压的低频PSR为-145 dB,PSR为-36 dB,温漂可以达到7.5 ppm,适用于电子镇流器芯片。本设计还优化了启动部分,使新的带隙基准可以在短时间内顺利启动。  1 电路结构  1.1 基准  目前的基准可以有多种实现方案:混合电阻,Buck voltage transfer cell,但是修调复杂,不宜工业化。本设计采用Brokaw基准,其较易实现高压基准输出,并且其温漂、PSR及启动特性均较好。本文采用的改进的Brokaw基准的结构如图1所示。  对此的分析:  三极管的输出电流公式:
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