文件名称:
基于SG3525的DC/DC直流变换器的研究
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文件大小: 237kb
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上传时间: 2021-01-12
详细说明：引言随着电能变换技术的发展，功率MOSFET在开关变换器中开始广泛使用。为此，美国硅通用半导体公司推出了SG3525，以用于驱动N沟道功率MOSFET。SG3525是一种性能优良、功能齐全和通用性强的单片集成PWM控制芯片，它简单可靠及使用方便灵活，输出驱动为推拉输出形式，增加了驱动能力；内部含有欠压锁定电路、软启动控制电路、PWM锁存器，有过流保护功能，频率可调，同时能限制占空比。其性能特点如下：1）工作电压范围宽：8～35V。2）内置5．1V±1．0％的基准电压源。3）芯片内振荡器工作频率宽100Hz～400kHz。4）具有振荡器外部同步功能。5）死区时间可调。为了适应驱动快速场效应管的需
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