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低压CuPc场效应晶体管的界面特性的见解
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上传时间: 2021-03-31
详细说明：使用开尔文探针力显微镜研究了工作的有机场效应晶体管（OFET）中电介质表面附近CuPc的界面传输特性和状态密度（DOS）。 我们发现，在4.3 X 10（2）V / cm的沟道电场下，高k Al2Oy / TiOx（ATO）电介质上CuPc的载流子迁移率是SiO2上CuPc的载流子迁移率的20倍。 ATO基板上CuPc的最高占据分子轨道（HOMO）的DOS的高斯宽度为0.33 +/- 0.02 eV，并且ATO基板上CuPc的间隙中的陷阱DOS小至7 x 10（ 17）厘米（-3）。 观察到HOMO边缘附近的间隙状态，并将其分配给氧的掺杂水平。 在E-VGS（= VT'）附近测得的CuPc在SiO2上的HOMO DOS突然减小，并且观察到DOS的钉扎现象，表明界面处的陷阱DOS更高，为10（19）-10（20）cm（-3） 。 讨论了DOS与界面处的结构，化学以及电学性质之间的关系。 CuPc / ATO OFET的优异性能归因于低陷阱DOS和掺杂效应。
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