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ZnO / CdS核/壳纳米线阵列的发光起源
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文件大小: 953kb
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上传时间: 2021-03-28
详细说明：ZnO / CdS纳米复合材料的化学成像，电子结构和光学性质已通过扫描透射X射线显微镜（STXM），X射线吸收近边缘结构（XANES）和X射线激发光致发光（XEOL）进行了研究光谱学。 STXM和XANES结果证实所制备的产品是ZnO / CdS核/壳纳米线（NWs），并且进一步表明ZnS在ZnO NWs的表面上形成，作为ZnO与CdS之间的界面。 ZnO / CdS NW阵列的XEOL在375 nm处显示一种弱紫外线（UV）发射，在512 nm处显示一种强绿色发射，在750和900 nm处显示两种宽红外（IR）发射。 结合XANES和XEOL可以得出结论，紫外发光是ZnO的近带隙发射（BGE）。 绿色发光来自CdS的BGE和ZnO的缺陷发射（DE，锌空位）。 IR发光归因于CdS的DE（与S位点有关的大量缺陷）； ZnS对ZnO / CdS NW阵列的发光几乎没有贡献。 有趣的是，ZnO / CdS纳米复合材料中ZnO的氧空位的BGE和DE几乎被完全淬灭，而锌空位的DE几乎没有变化。
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