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文件大小: 7mb
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上传时间: 2008-11-12
详细说明： 特性 • 融合了ARM920T™ ARM® Thumb® 处理器 – 工作于180 MHz时性能高达200 MIPS，存储器管理单元 – 16-K 字节的数据缓存，16-K字节的指令缓存，写缓冲器 – 含有调试信道的内部仿真器 – 中等规模的嵌入式宏单元结构( 仅针对256 BGA 封装) • 低功耗：VDDCORE电流为30.4 mA 待机模式电流为3.1 mA • 附加的嵌入式存储器 – SRAM为16K ；ROM为128K • 外部总线接口(EBI) – 支持SDRAM，静态存储器， Burst Flash，无缝连接的CompactFlash®， SmartMedia™及NAND Flash ………………
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