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上传时间: 2019-04-09
详细说明： 基于高压功率集成电路的关键参数性能要求和现有工艺条件,在国内 3 μm CMOS 工艺 基础上, 开发出 8 ～ 9 μm 薄外延上的 600 V LDMOS 器件及高低压兼容 BCD 工艺, 并设计出几款 600 V 高压半桥栅驱动电路 。该工艺在标准 3 μm 工艺基础上增加 N 埋层、P 埋层及 P-to p 层 , P 埋层和 P 阱对通隔离, 形成各自独立的 N-外延岛 。实验测试结果表明:LDM OS 管耐压达 680 V 以上 ,低压 NM OS 、PM OS 及 NPN 器件绝对耐压达 36 V 以上 ,稳压二极管稳压值为 5 .3 V 。按该 工艺进行设计流片的电路整体参数性能满足应用要求 ,浮动偏置电压达 780 V 以上 。
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