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详细说明:AS5040全部研发资料,提供PWM输出以及SPI和ABZ接口,为微控制器提供绝对角度测量。在进行机械设计时无须考虑芯片初始零位和它 所使用磁铁磁极的精确配对,取而代之的方案是:零位可以通过软件编程使用简单的SPI命令(无需特殊的编程设备)即可编程进AS5040内部的存储器。As504010位可编程磁旋转编码器
austriamicrosystems
cSn接逻辑高电平时,可将数据输出引脚(DO)置
引脚8(Pg月于在OTP内编程设置不同的增量
为三态,并终止串行数据传输。脚也用于对准模式
接口模式、增量分辨率和零位(参见第16页)。
(见第19页)以及编程模式(见14页)
菊链配置模式下,此引脚也用作数字输入,将串行
引脚12允许采用单根连线输出10位绝对位置值。
数据移位通过器件(参见第10页)
此数值被编码成脉宽调制信号,脉宽的步长为1s(
整圈为1ψs至1024μs)。通过使用外部低通滤波
引脚11为片选(CSn;低电平有效),可在AS5040
器,数字PWM信号可以转换成模拟电压,从而可以
编码器网络内选定任一器件并启动行数据传输
直接取代电位器
电气特性
极限参数(非工作条件)
工作条件超出“极限参数”所列出的数值范围时,可能导致器件永久性损坏。这些数值只是极限数值。在这些极
限条件下或其它任何超出“|作条件”部分所规定的条件下,并未隐含心片能彰常作。长期作在极限条件
下可能影响器件的可靠性。
参数
符号最小值最大值单位注释
引脚VDD5V的直流供电电压
VDD5
-03
月脚VDD3V3的直流供电电压|vDy353
-03VDD5V+03
引脚 Maginn, MagDecn,CLK和CSt
输入引脚电压
-03
7.5
引脚Pr
入电流(不会闭锁)
-100
100
mA规范: JEDEC78
静电放电
ESD
±2
K|规范:ML83 E method3015
贮存温度
Tstr
-55
125
最小值-67°F;最大值+257°F
t=20全40s,规范:| PCJEDEC J-Std-020C
本体温度(无铅封装)
引脚镀层为100%的锡“雾锡式”
湿度,无凝水
H
%
工作条件
参数
符号最小值型值最大值|单位注释
环境温度
Ta
125°-40F-+257F
供电电流
16|21
mA
引脚VDD5V的外部供电电压
VDD5V
4.5|5.0
55
5V工作方式
引脚VD3V3的稳压器输出压
VDD3V33.0|3
3.6
引脚VD和VD33外部供电电压vD303336
√|3.3V工作方式(引脚VDD5V和
VDD3V3 3.0
36
VDD3V3相连)
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数字输入和输出的直流特性
施密特触发器输入:
内部上拉
(工作条件:Tmb=-40至+125°C,VDD5∨=3.0-3.6V(3V工作)VDD5V=4.5-5.5V5V工作),除非另有规定)
符号
最小值
最大值单位注释
高电平输入电压
0.7*VDD5V
V|正常工作
低电平输入电压
0. 3*VDD5V
V
施密特触发器滞回
∨ lon- viff
输入漏电流
LEAK
A仅CLK
上拉低电平输入电流
-100
uA|仅csn,VD5:50V
编程输入
(工作条件:T3m=-40至+125°,VDD5V=3.036V(3V工作)DD5V=4.5-5.5V(5V工作)除非另有规定)
符号最小值最大值单位注释
高电平输入电压
VIH
0.7* VDD5V
V
高电半输入电压
VPROG
参见“编程条件”
V|编程期间
低电平输入电压
VIL
0.3
VDD5V
下拉高电平输入电流
liL
100
HA VDD5V:
漏极开路输出
(工作条件:Tmb=-40至+125°C,VDD5V=3.0-3.6V(3工作)YDD5∨=45-5.5V(5V工作),除非另有规定)
参数
符号最小值最大值
单位注释
低电平输出电压
V
VSS+0.4
VDD5V: 4.5V
输出电流
2
VDD5V 3V
漏极开路漏电流
UA
输出
工作条件:Tamh=-40+125°C,VDD5∨=3.0-3.6V(3V工作)VDD5V=4.5-5.5V(5V工作),除非有规定)
符号最小值最大值单位注释
高电平输出电压
VDD5V-0.5
低电平输出电压
OI
VSS+0.4
VDD5V: 4
输出电流
A VDD5V: 3V
三态输出:
(工作条件;Tmb=-40至+125C,VDD5V=3.0-3.6V(3V工作)DD5V=4.5-5.5V(5V工作),除非另有规定)
参数
符号最小值最大值单位注释
高电平输出电压
VOH VDD5V-05
低电平输出电压
VSS+0.4
4
MA
VDD5V: 4.5V
输出电流
2
VDD5V 3V
态漏电流
A
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磁输入规格
(工作条件:Tamb=-40至+125°C,VDD5V=3.0-36V(3工作)VDD5V=45-5.5V(5V工作),除非另有规定)
两极圆柱状径向磁化磁源:
参数
符号最小值典型值最大值单位注释
推荐磁铁:6mmⅹ2.5mm圆柱磁铁
厚度
mag
2.5
mm
输入场强
T
晶片表面所要求的磁场强度的垂直分量,沿
半径为1.1mm的同心圆周测量
磁偏差
Boff
±10mT|恒定杂散磁场
场非线性度
%包括偏差梯度
mag abs
输入频率(磁铁的旋
h/绝对值模式:600m1024个位置读数
转速率)
增量模式:在高达1000pm的旋转速率下无
丢失脉冲(参见表6)
0.25
规定的C封装中心与磁铁轴线之间的最大X-Y
偏离半径
Disp
mm偏差(参见图21)
0485
芯片中心与磁铁轴线之间的最大X-Y偏差。
芯片放置误差
±0235mm片在C封装内的放置误差(参见图23)
推荐的磁铁材料和温
-0.12
NdFeB(钕铁硼
度漂移
%IK
-0.035
smco(钐钴)
电气系统规格
(工作条件:Tamb=-40至+125°C,VDD5V=3.0-3.6V(3工作)VDD5V=4.5-5.5(5V工作),除非另有规定)
参数
符号最小值典型值最大值单位注释
分辨率
RES
10
bit0.3520
7位
2813
8位
1406
可调分辨率仅适用于增量输出模式
eo
9位
0.703
最低有效位,最小步长
10位
0352
积分非线性(最优)
5de0最佳拟合直线下的最大误差。在最优磁铁
对中情况下进行了验证,Tamb=25°c
INTe
最佳拟合直线下的最大误差。在最优磁铁
积分非线性(最优)
±09de对中情况下进行了验证,Tamb=40至
最住拟合直线=( Armax-Er
积分非线性
±14deg采用6mm直径的磁铁整个偏离误差范围
内,Tamb=-40至+125°C
微分非线性
DNL
±0176deg10位,无失码
转换噪声
TN
0.12
RMS
10下的RMS值
回
st
0.704
eg仪增量模式
上电复位门限
接通电压:30m典型滞叵a1372229y直流供电电压3ND3
关断电压;30mV典型滞回Vam1081926V直流供电电压33VvDD3V3)
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参数
符号最小值典型值最大值单位注释
上电时
到偏差补偿完成为止
系统传输延迟,绝对值输
ps包括ADC和DSP的延迟
系统传输延迟,增量输出
192us计算需要2个采样周期
990104210.94
内部采样率,Tamb=25°C
绝对值输出的采样率
fs93810421146
内部采样率,Tamb=-40至+125°C
读出频率
CLK
1MHz读出行数据的最大时钟频率
cL10位编码
、实际曲线
TN
理想线
DNL+lSB
035
180
a [degrees
图:积分和微分非线性示例(曲线被夸大)
积分非线性(NL)是实际位置与指示位置之间的最大偏差。
差动非线性DNL)是从1个位置至下1个位置的步长的最大偏差。
转换噪声(TN)是指示位置的重复精度
时序特性
同步串行接口
(工作条件;Tam=40至+125°C,VDD5V=3.0-36V(3工作)VDD5V=4.5-5.5(5∨工作),除非另有规定)
参数
符号|最小值典型值最大值单位注释
数据输出激活(逻辑高电
t Do active
10 ns CSn下降沿与数据输出激活之间的时间
1个数据移位至输出寄存\tF500
nsCS下降沿与CLK第1个下降沿之间的时间
开始数据输出
T 2 500
ns CLK的上升沿一次移出1位
数据输出有效
t invalid357375394nscK上:升沿与数据输H有效之间的时间
数据输出三态
t Do tristate
100ns在最后一位后,DO引脚变回“三态”
CSn脉冲宽度
500
cSn=高电平:准备启动下一个角度位置
ns
读取操作
读出频率
fclk
>
1Mz读出串行数据的时钟须率
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脉宽调制输出
工作条件:Tamb=-40至+125°C,VDD5V=3.0-3.6V(3V工作)VDD5V=4.5-55V(5V工作),除非另有规定)
参数
符号最小值典型值最大值单位|注释
09270.9761024
信号周期=1025u55%,Tamb=25°C时
PWM频率
08780.9761074
1025μs±10%,Tnb=40至+125°c
小脉冲宽度
PW MIN095
1.05μs位置0d,角度:0 degree
最大脉沖宽度
PWM97310241075ps位置1023c;角度:35965egee
增量输出
(工作条件:Tamb=-40至+125°C,VDD5V=3.0-3.6V(3V工作)VDD5V=4.5-5.5V(5V工作),除非另有规定
参数
符号最小值典型值|最大值单位注释
上电后增量输出有效
上电后第1个CSn下降沿与有效增量输出之
outputs valid
50ns间的时间
方向指示有效
LSB输出的上升沿或下降沿与有效方向指示
t Dir valid
500
之问的时间
编程条件
(工作条件:Tanb=40至+125°0,VDD5V=3.03.6V(3V工作)VDD5V=45-55V(5V工作),除非另有规定)
参数
符号最小值典型值最大值单位注释
编程操作启用时间
t Prog enable
从sPog引脚上升沿与csn上升沿
之间的时间
开始写入数据
Data in
写入数据有效
t Data ir valid 250
ns|在 CLKPROG上升沿写入数据
载入编程数据
t Load ProG
us
CLKPROG之前VPRG上升为高的
时间
Prc
300
LK0的y保时间t
5
写入数据-编程 CLK PROG
CLK PROG
kHz
LK脉冲宽度
1.8
2.2
在编程操作期间;16个时钟周
t PROG
期
编程后的vpoc保持时间
t pRoG
在下一次上电后,编程数据即
可使用
编稞电压
Y=737475y编科完毕后必须关断
编程电压关闭电平
V
FrogCff
V电压必须放电至此电平
编程电流
PROG
mA编程操作过程中
模拟读取CLK
CLK
kH模拟回读模式
已编程的齐纳电压(逻辑1)Wmmn
100
my模拟回读模式下的 Vref-Vpro6
未编程的齐纳电压(翌辑0)Vmm
(参见第10.6节)
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功能说明
AS5040采用CMoS标准工艺生产,并采用了一种旋转
AS5040能够检测磁场的方位,并计算出10位二进制
编码。可以通过同步串行接口(SS丨)读取此编似
电流H!术,用于检测芯片表面上的磁场分布。
值。此外,引因12(PWM)还可输出代表绝对值角
度的脉宽调制信号。
内置的Ha元件围绕芯片的中心位置分布,并产生
除了绝对值角度信息以外,器件丕能同时提供增量
个表征芯片表面磁场的电压。
输岀信号。各种增量输岀模式可以通过编程OTF模式
寄存器的各个位进行选择(参见第16页)。只要引
通过∑A模拟数字转换技术和数字信号处理(DsP)
脚Prog上没有施加编程电压,则新设置值可以随时
算法,A55040可提供精确的高分辨率绝对值角度信
被覆写,并将在电源断开时复位至缺省值。为了使
息。为了实现这一功能,采用了坐标旋转数字计算
设置值水久生效,必须对OTP寄存器进行编程(参见
机( CORDIC)算法来计算角度以及Ha阵列信号的
图15)。缺省设置是正交A/B模式,包括脉冲宽度为
幅值。
1个LSB的 Index信号。在用户可编程的岺位点, lndex
信号为逻辑高电平
DSP也用于提供 MagINN和 MagDECn输出的数字信
由于采用了差分测量技术以及H叫传感器调理电路,
息,指示所使用的磁铁靠近或远离芯片表面的运动
AS5040能够承受磁铁偏离以及杂散磁场
情况
采用一块小型、低成本、径向磁化(双极)标准磁
铁,即可提供角度位置信息(参见图20)。
图
方框图
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位绝对值角位置输出
同步串行接口
M
D4)D3I D2D1 DO I OCF A COF I LIN MINC ADEC A PAR
角度位置数据
状态位
图:输出绝对值角位置数据的同步串行接口
如果CSn变成逻辑低电平,数据输出(D)将从高
据。通过将磁铁位置凋整至Ⅹ-Y-Z容限以内,可
阻态(三态)变为逻辑高电平,并启动读取操作。
以消除此项告警。
经过最短时间tcKF后,数据在CLK的第1个下
,(磁场增强),磁铁被摧向靠近丨C旳位置
降沿锁存至输出移位寄存器。
时,会导致磁场强度增大,该位将变成逻辑高。
每个后续的CLK上升沿将移出1位数据
磁场减弱),磁铁被拉至远离IC的位
串行字包含16位,前10位是角度信息D[90
置时,会导致磁场强度减小,该位将变成逻辑高
后6位包含系统信息,涉及数据的有效性,诸
这两个信号均为逻辑高时,表明磁场强度超出了所
如0CF、COF、L|N、奇偶性和磁场状态(增强
允许的范围(参见表3)。
减弱)等
通过cSn处的逻辑“高”脉冲启动下一次测
说明
量,CSn的最小持续时间为tcsn
间距无变化
数据内容:
0
磁场输入正常(处于范围之内)
绝对值角度位置数据(首先同步输出
间距增大:拉离功能。此状态是动
MSB)
0
态变化的,只有当磁铁在Z轴方向远
离芯片时有效
(偏差补偿完成),逻辑高电平表示偏差补
间距缩短:按下功能。此状态是动
偿算法执行完毕。为了实现快速启动,可以通过
10态变化的,只由当磁铁在Z轴方向移
外部微控訇器查洵此位。一旦此位置位,则表明
近芯片时有效
AS5040已经完成启动,并且数据有效(参见表
磁场输入无效-超出范围:过强,
弱(磁铁缺失)
odic溢出),逻辑高电平表示 CORDIC单元
表:磁场强度变化指示
出现了超范圜的错误。此位置位时,D9:D0的数
注意:引即1和引脚2( MagNON, MagDECn)均为
据尤效。绝对值输出朱留最后1个有效的角度
漏饭开路输出,并要求外接上拉屯阻。如果磁场强
值
度处于范国之内,则两个出均关闭
通过将磁铁位置调整至ⅩY-Z容限以内,可以消
这2个引脚乜可以组合采用同一个上拉电阻。在这种
除这种报警故障。
情况下,只有当磁场强度处于正常范围时信号才会
是高电平。所有其它情况下信号均为低电平(参见
(线性度报警),逻辑高电平表示输入磁场
表3)。
产生了严重的输出线性度问题。此位置位时,
D9:D0的数据仍然可以使用,但可能包含尤效数
偶数奇偶校验位用于第1全15位(D9-D0、OCF、
COF、L|N、Mag|NCn和 MagDECn)的传输错误检
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测。绝对值角度输出总是设置为10位分辨率。将磁
铁安装在心片上方时,缺省情况下,角度数值沿顺
菊链模式
时针方向增加。
菊链模式可以串行连接若十个AS5040,并仍然只用1
当状态位具有下列配置时,数据D9:D0有效
个数字输入来进行数据传输(参见下面图6的“Data
N”)。此模式是通过将数据输出(D0;引9)连
奇偶校验
接到下一个器件的数据输入(Prog:引脚8)米实现
的。所有串接器件的串行数据均从链路中第1个器件
00
1:15位的
的DO引脚读取。链路中最后一个器件的Prog引脚应
偶校验和
当接至ⅤSS。每增加1个器件,这个串行位流的长度
就会增加,也就是
表:状态位输出
n(16+1)位:
绝对值角度位置的采样速率为10Hz(0.1ms)。这
例如,2个器件为34位,3个器件为51位,等等…第1
样可以在01秒内读取360度范围的全部1024个位置=
个器件的最后1个数据位(奇偶位)后面跟随一个逻
976Hz(-10Hz,而不会错失任何位置。将10H乘以
辑低电平位,接着是第2个器件的第1个数据位
60,结果得出对应的最大旋转速率为60pm
(D9),依此类推(参见图7)。
每两个角度位置读取次,可以达到最高1200pm的
菊链连接器件的编程
旋转速率
在菊链模式下,Prog引郾直接连接至链路中下一个
因此,增加旋转速率会减少每圈读取的绝对角度位
器件的DO引脚(参见图6)。在编程过程中(参见第
置的数量(参见表7)。无沦所读取的旋转速率或位
10节),必须在引脚Prog上施加7.5V的编程电压。此比
置数量是多少,绝对角度数值总是采用10位最高分
电压超过了引脚DO的限制,所以编程过程中必须采
辨率。
取以下预防措施之一:
由于采用了插补器,增暈输出不受旋转速率限制的
在编程期间将Do→Prog的接线开路,或
影响。增量输出信号可以应用在旋转速率高达
10000m的高速应用中,而不会丢失脉冲
·在DO与Prog之间加装一个肖特基二枚管
(阳极=Do,阴极=Prog)
由于CLK和CSn是并联的,可以同时编程连接的所有
器件
第个器件
第个器件
后一个器件
Data in
DO
Prog
DO
Progk-DO
CSn CLK
CSn CI
CSn
图;菊链硬件配置
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