文件名称:
英飞凌2500W图腾杆全桥功率因数校正演示板操作教程.pdf
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上传时间: 2019-07-23
详细说明： 这是一个应用说明，专用于英飞凌的2500瓦图腾杆全桥功率因数校正（PFC）演示板，包括CoolGantm E模式HEMTS、CoolMostm SJ MOSFET和ICE3 PFC控制器，以及1EDI高压MOSFET驱动程序。 这个演示板展示了一个高效的PFC阶段，它利用Infineon的CoolGantm技术的优势，将系统效率提高到99%以上，用于服务器或电信整流器等效率关键的应用。 增强模式（E模式）氮化镓（GaN）半导体的一个独特优势是完全没有任何反向恢复电荷，GaN是一种宽带隙（WBG）材料。因此，这项技术使功率级的新拓扑成为可能，而目前的高压超结（SJ）功率半导体无法解决这一问题。基于这些特性，图腾柱pfc拓扑 是利用Infineon的CoolGantm技术优势的完美匹配。 我们的演示板显示了高达2500瓦的可靠运行，基准效率为99.2%。要实现这一点，只需要两个分立的70 MΩCoolGantm开关和两个分立的33 MΩ650 V CoolMostm C7金开关。所有的动力部件都是表面安装设备（SMD），能够实现更快、更便宜的组装过程。该控制采用英飞凌标准的ICE3连续导通模式（CCM）控制芯片实现。PWM开关频率设置为65 kHz。 这个演示板展示了一个高效的PFC阶段，它利用Infineon的CoolGantm技术的优势，将系统效率提高到99%以上，用于服务器或电信整流器等效率关键的应用。 增强模式（E模式）氮化镓（GaN）半导体的一个独特优势是完全没有任何反向恢复电荷，GaN是一种宽带隙（WBG）材料。因此，这项技术使功率级的新拓扑成为可能，而目前的高压超结（SJ）功率半导体无法解决这一问题。基于这些特性，图腾柱pfc拓扑是利用Infineon的CoolGantm技术优势的完美匹配。 我们的演示板显示了高达2500瓦的可靠运行，基准效率为99.2%。要实现这一点，只需要两个分立的70 MΩCoolGantm开关和两个分立的33 MΩ650 V CoolMostm C7金开关。所有的动力部件都是表面安装设备（SMD），能够实现更快、更便宜的组装过程。该控制采用英飞凌标准的ICE3连续导通模式（CCM）控制芯片实现。PWM开关频率设置为65 kHz。
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