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文件名称: GaN打破壁垒—RF功率放大器的带宽越来越宽、功率越来越高.pdf
  所属分类: 其它
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  文件大小: 651kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2019-07-23
  提 供 者: weixin_********
 详细说明: 电信行业不断需要更高的数据速率,工业系统不断需要更高的分辨率,这助推了满足这些需求的电子设备工作频率的不断上升。许多系统可以在较宽的频谱中工作,新设计通常也会有进一步增加带宽的要求。在许多这样的系统中,人们倾向于使用一个涵盖所有频带的信号链。半导体技术的进步使高功率宽带放大器功能突飞猛进。GaN革命席卷了整个行业,并且可以让MMIC在几十种带宽下生成1 W以上的功率,因此,这个过去由行波管主导的领域已经开始让步于半导体设备。更短栅极长度的GaAs和GaN晶体管的出现以及电路设计技术的升级,衍生了一些可以轻松操作毫米波频率的新设备,开启了几十年前难以想象的新应用。本文将简要描述支持这些发展的半导体技术的状态、实现最佳性能的电路设计考虑因素,还列举了展现当今技术的 GaAs和GaN宽带功率放大器(PA)。
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