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研究论文-高性能非平面沟道场效应晶体管.pdf
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上传时间: 2019-08-07
详细说明： 半导体器件的高速化、集成化要求其特征尺寸不断缩小，不可避免地导致短沟道效应，从而使得器件性能退化。提出了一种非平面沟道晶体管，利用二维半导体器件仿真软件SILVACO对其阈值电压退化、亚阈值特性和衬底电流进行了研究，并通过能带图、电势分布图和电场分布图探讨了其物理机理。研究表明非平面沟道晶体管可以很好地抑制阈值电压退化，改善器件的亚阈值特性，降低漏电流和衬底电流，提高击穿电压，从而抑制短沟道效应，提高器件的可靠性。
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