文件名称:
GaInP_GaAs_Ge三结太阳电池的电子辐照损伤效应_胡建民.caj
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文件大小: 71kb
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上传时间: 2019-08-22
详细说明： 研究了1 MeV和1.8 MeV电子辐照下GaInP GaAs Ge三结太阳电池的辐照损伤效应.电学性能研究结果表明, GaInP GaAs Ge三结太阳电池的开路电压、短路电流和最大功率随辐照剂量的增加发生明显衰降,在1 MeV电子辐 照下剂量为1× 1015cm- 2时,与辐照前相比最大功率衰降了17.7%.暗I-V特性分析表明,高能电子辐照下三结电池 串、并联电阻的变化是引起太阳电池电学性能衰降的重要原因.光谱响应分析结果表明,GaInP GaAs Ge三结太阳电 池电学性能发生明显衰降的主要原因是其GaAs子电池的严重损伤造成的,而GaAs子电池的损伤主要表现为基区 底部光生载流子收集效率的明显衰降.提高GaInP GaAs Ge三结太阳电池抗辐照能力 的关键在于尽可能地减小 GaAs子电池的基区损伤
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