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LDO芯片设计报告及电路分析报告.pdf
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上传时间: 2019-09-16
详细说明: 本论文完成了一种应用于集成于射频芯片的LDO的分析与设计。本文主要从稳定性、负载瞬态响应、电源抑制比和噪声四个方面进行了分析。然后,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺完成了包括功率调整管、电阻反馈网络和误差放大器三个部分的电路设计,并用Cadence Spectre对设计的整体电路进行了仿真和优化,最终实现电路的设计要求,而且可以在片内集成。可在0.1mA~300mA的负载电流范围内稳定工作,电路正常工作时温度范围:-55℃~ 125℃,该电路工作电压范围为2.1~3.6V,输出电压1.8V,输出电压在全范围的波动:≤4mV,输出电压准精度:≤10mV,最小压差在300mV以下,静态电流≤60uA;在10Hz~100KHz范围内的内部输出噪声积分约为,≤ 20μVRMS20mA、≤50μVRMS80mA、≤100μVRMS 300mA;电源抑制比(PSRR,在10KHZ以下):≥60dB20mA、≥60dB80mA、≥60dB300mA;线性调整率:≤0.1%;负载调整率:≤1%;启动时间:≤100us;电压瞬态响应:≤30us;负载瞬态响应:≤50us;输出启动电压过冲:≤100mV;集成输入欠压过压保护、输出断路保护。另外集成过温保护以及输入软启动电路。
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