文件名称:
氢中1状态的Lamb位移：两环和三环贡献
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文件大小: 322kb
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上传时间: 2020-05-06
详细说明：我们考虑了氢离子和氦离子的1s兰姆位移，这是通过氢光谱法准确确定Rydberg常数和质子电荷半径以及对结合态QED进行精密测试所需的量。 QED对不确定性的主要贡献来自α8m外部场贡献（即非反冲极限处的贡献）。 我们讨论了两回路和三回路的情况，尤其是我们以标准符号重新查看了系数B61，B60，C50的计算，发现缺少对数贡献α2（Zα）6m。 我们还获得了阶数为α2（Zα）8m和α2（Zα）9m的前导纯自能量对数贡献，并估计了阶数α2（Zα）7m，α2（Zα）8m和α2（Zα）9m的次导项。 这些高阶贡献的确定使我们能够提高电子两环自能评估的整体准确性。我们研究了与次优三环项有关的被积物的渐近行为 （阶数为α3（Zα）5m，系数C50为标准符号），并将其应用于回路动量的近似积分。 我们对三个循环中最接近前置项的1s Lamb位移的贡献结果为（−3.3±10.5）（α3/π3）（Zα）5m。总而言之，我们已经完成了对对数对数贡献的评估。 与最新的CODATA编译相比，Hs，D和He $ ^ {+} $的1s Lamb位移为α8m阶，并且将整体α8m不确定性降低了大约三倍。
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