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文件名称: 具有局部暗规对称性的衰变费米子DM产生的AMS02正电子过量
  所属分类: 其它
  开发工具:
  文件大小: 471kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2020-05-05
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:PAMELA,Fermi和AMS02观察到的正电子过量可能是由于暗物质(DM)对an灭或主要衰变成μ子所致。 在本文中,我们考虑了一个热铁离子DM(χ)的情形,质量为OO(122)TeV衰减为一个黑希格斯(Ï•)和一个活跃的中微子(βa)而不是SM希格斯 玻色子和½a。 我们首先针对局部暗U(1)X规范对称性提出一种针对这种情况的可重整化模型,其中DMχ可以通过希格斯门户和规范动力学混合进行热化。 假设暗希格斯(Ï•)质量在2m¼
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