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在LHeC上通过单次希格斯产生来探测三线性希格斯玻色子自耦合
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文件大小: 610kb
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上传时间: 2020-05-04
详细说明：希格斯自耦合的确定是理解电弱对称破坏背后机制的关键因素之一。 为了避免研究双重希格斯产生的缺点，提出了一种间接的方法，该方法通过单次希格斯产生来限制希格斯三线性自耦合。 在本文中，我们研究了在未来的LHeC中通过矢量玻色子融合（VBF）过程e-p→νehj进行的希格斯自相互作用。 在NLO级别上，我们分析计算了相关过程的散射幅度，特别是由希格斯自相互作用引起的散射幅度。 然后针对通过VBF产生的希格斯产生并衰减到bb进行蒙特卡罗模拟和统计分析，利用希格斯产生，并为三线性希格斯自耦合重定标参数κλ产生极限[−0.57，2.98]（2 ab） -1综合光度。 如果我们假设大约有10％的信号在事件
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