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文件名称: CEPC对e + e−→H(γγ)Z中希格斯质量测量的干扰影响国家自然科学基金资助(11375021,11447018),美国新世纪大学优秀人才(NCET)(NCET-13-0030) 中国基础研究发展计划(2015CB856701),中央
  所属分类: 其它
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  下载次数: 0
  上传时间: 2020-04-29
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:作为希格斯工厂的高发光度圆形电子正对撞机(CEPC)将有助于希格斯质量的精确测量。 仔细研究了在能量为246 GeV的未来e + e-对撞机上相关Z玻色子产生中希格斯双光子衰变模式的信号背景干扰效应。 对于从0.8 GeV到2 GeV的实验质量分辨率,质量偏移从大约20 MeV上升到50 MeV。
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