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高斯-贝涅特引力下背向反应对功率-麦克斯韦全息超导体的影响
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上传时间: 2020-04-17
详细说明：我们通过考虑标量场和规范场对五维爱因斯坦-高斯-贝内特引力的背景几何形状的影响，通过分析和数字方法研究s波全息超导体的特性。 我们假设轨距场是功率-麦克斯韦非线性电动力学的形式。 我们将Sturm–Liouville特征值问题用于临界温度的解析计算和数值研究的射击方法。 我们的数值和分析结果表明，较高的曲率校正会影响具有反作用的全息超导体的冷凝。 我们观察到，后反应可以降低全息超导体的临界温度，而功率-麦克斯韦电动力学和高斯-邦尼系数项可能会提高全息超导体的临界温度。 我们发现，临界指数的平均场值为β= 1/2，而与高斯-邦尼系数，后反应和幂麦克斯韦参数无关。
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