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威尔逊流淬灭的QCD中Tc附近拓扑电荷密度的局域化
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文件大小: 351kb
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上传时间: 2020-04-16
详细说明：我们利用威尔逊流涂抹了具有323×8晶格体积的淬灭晶格QCD集成。 在接近临界温度Tc的温度下，对应于临界逆耦合βc= 6.06173（49）的六个集合用于研究拓扑电荷密度的定位。 如果Wilson流的有效涂抹半径足够大，则当β≤6.050时，集成体的Harrington-Shepard（HS）卡龙形拓扑团块的密度，大小和峰值将保持稳定，而当β≥6.055时，其密度，大小和峰值将开始明显变化。 拓扑电荷密度的逆参与比（IPR）显示出相似的结果，当β≥6.055时开始增加，而当β≤6.050时则稳定。 从T = 1.19Tc和1.36Tc的集合的拓扑电荷密度相关器（TCDC）提取拟标量胶球质量，
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