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自旋3/2Σ到Λ超子跃迁的电磁形状因数
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文件大小: 965kb
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上传时间: 2020-04-15
详细说明：研究了从3/2 +Σ*超子过渡到基态Λ超子的三种电磁形式。 在低能状态下，可以从Σ*超子到Λ的Dalitz衰变和加上一个电子-正电子对推论出过渡形式因子的组合。 指出了如何借助Λ的自分析弱衰变获得更多信息。 特别地，显示出这些过渡形状因子在该运动学区域中已经是复杂的量。 这种测量在Hyperon工厂是可行的，例如反质子和离子研究设施（FAIR）。 在较高的能量下，可以在电子-正电子碰撞中测量跃迁形状因数。 过渡形状因子与衰减分布和微分截面有关。 使用弥散理论，用于Σ*到Λ过渡的低能电磁形状因数与pion矢量形状因数有关。 相对需要的输入，即2π-Σ*-Λ振幅，是根据相对论的次先导（NLO）重子手性扰动理论确定的，包括八位位组和十进制的重子。 众所周知的NLO参数固定为Σ*→Λγ衰减宽度的实验值。 通过使用弥散理论并求解Muskhelishvili-Omnès方程，可以考虑对离子的散射。 讨论了减法和非减法的色散关系。 但是，鉴于过渡形状因数是复数的事实，当前的数据情况无法完全确定减法常数。 为了减少自由参数的数量，使用未减去的色散关系来预测低能时空区域中的过渡形状因数。
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