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高斯扩展法计算夸克解离温度国家自然科学基金（11475085，11535005，11775118，11690030），中央大学基础研究基金（020414380074）和中国国际科技合作计划（2016YFE0129300）支持 ）
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上传时间: 2020-04-02
详细说明：在夸克模型的框架内，借助高斯膨胀法（GEM）获得了热介质中夸克态的解离温度。 这是该方法首次应用于介子的解离问题。 通过拟合晶格结果获得与温度相关的电势。 用GEM求解Schrödinger方程，可以同时获得基态和激发态的结合能以及相应的波函数。 GEM的准确性和效率为介子的解离问题提供了很大的优势。 结果表明，基态11S0和13S1的解离温度比其他状态高得多，并且自旋依赖性相互作用对13S1和11S0的解离温度有显着影响。 我们还建议使用结合态的半径作为石英解离的标准。 这可以帮助避免由于夸克结合能量的长尾巴对温度的依赖性而导致的误差。
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